Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SISS65DNT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SISS65DN-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, P-CH, -30V, -94A, 150DEG C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-94A; | ROHS COMPLIANT | 2,811 | 1+ : $1.03 10+ : $0.923 100+ : $0.697 500+ : $0.615 1000+ : $0.464 5000+ : $0.434 |
Купить сейчас
|
|
SISS65DN-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, P-CH, -30V, -94A, 150DEG C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-94A; | ROHS COMPLIANT | 2,811 | 100+ : $0.697 500+ : $0.615 1000+ : $0.464 5000+ : $0.434 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SISS23DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PAK1212-8 | 14 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
SISS27DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAIR1212-8 | 42000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
| SISS71DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PAK1212-8 | 13027 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
| SISS98DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
NA | 8029 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SISS61DN-T1-GE3 | - |
|
27360 | 2020+ | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
|
| SISS64DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
- | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SISS62DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
|
|
|
SISS60DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
DFN | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SISS61DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK-1212-8 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SISS64DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK1212-8S | 10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
|
|
|
SISS66DN-T1-GE3
|
SILICONIXV |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SISS65DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CHAN30VPPAK1212-8S | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SISS60DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
DFN | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SISS61DN-T1-GE3 | - |
|
27360 | 2020+ | Instock | 24-08-15 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
|
SISS61DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK-1212-8 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SISS62DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SISS64DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
- | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SISS64DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CHANNEL30V40A1212-8S | 59850 | 2020 | 24-08-15 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SISS64DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK1212-8S | 10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SISS65DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CHAN30VPPAK1212-8S | 59850 | 2020 | 24-08-15 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SISS66DN-T1-GE3
|
SILICONIXV |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SISS67DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CHAN30VPOWERPAK1212- | 59850 | 2020 | 24-08-15 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|