![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SISS23DN-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, P-CH, -20V, -50A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 4,334 | 100+ : $0.694 500+ : $0.501 1500+ : $0.491 |
Купить сейчас
![]() |
SISS23DN-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, P-CH, -20V, -50A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 3000+ : $0.421 9000+ : $0.397 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS23DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
PAK1212-8 | 14 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS23DN-T1-GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
PowerPAK1212-8S3.3x3 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS23DN-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETP-CH20V50APPAK1212-8S | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS23DNT1GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
613477 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SISS23DNT1GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
613477 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |