![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SISS10ADN-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, N-CH, 40V, 109A, 150DEG C, 56.8W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id | ROHS COMPLIANT | 47,416 | 5+ : $1.12 50+ : $0.992 100+ : $0.863 500+ : $0.596 1500+ : $0.585 |
Купить сейчас
![]() |
SISS10ADN-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, N-CH, 40V, 109A, 150DEG C, 56.8W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id | ROHS COMPLIANT | 47,416 | 100+ : $0.863 500+ : $0.596 1500+ : $0.585 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS23DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
PAK1212-8 | 14 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
SISS27DN-T1-GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
PowerPAIR1212-8 | 42000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
SISS71DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
PAK1212-8 | 13027 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
SISS98DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
NA | 8029 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS10DN-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN-CH40V60APPAK1212-8S | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS10ADN-T1-GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
PowerPAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISS10DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
PowerPAK1212-8S3.3x3 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SISS10ADN-T1-GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
PowerPAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |