Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SISA96DNT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SISA96DN-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 30V, 16A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16 | ROHS COMPLIANT | 31,684 | 100+ : $0.312 500+ : $0.26 1000+ : $0.196 5000+ : $0.194 |
Купить сейчас
|
|
SISA96DN-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 30V, 16A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16 | ROHS COMPLIANT | 31,684 | 5+ : $0.512 10+ : $0.406 100+ : $0.312 500+ : $0.26 1000+ : $0.196 5000+ : $0.194 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SISA96DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V16APOWERPAK1212 | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SISA96DN
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SISA96DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SISA01DN-T1-GE3 | - |
|
27360 | 2020+ | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
|
|
SISA04DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SISA10DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
| SISA14DN-T1-GE3 | VISHAY/ |
|
PowerPA | 30400 | 2020+ | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
| SISA18DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SISA10DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
NA | 175 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SISA12ADN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
70000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
|
| SISA18ADN-T1-GE3 | VISHAY |
|
NA | 560 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SISA96DN
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SISA96DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V16APOWERPAK1212 | 59850 | 2020 | 24-08-15 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SISA96DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SISA96DNT1GE3 | VISHAY |
|
11704 | 1703+ | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
1