Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIS862DNT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIS862DN-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N CH, 60V, 40A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 100+ : $1.05 500+ : $0.886 1000+ : $0.798 5000+ : $0.726 |
Купить сейчас
|
|
|
SIS862DN-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N CH, 60V, 40A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.65 10+ : $1.32 100+ : $1.05 500+ : $0.886 1000+ : $0.798 5000+ : $0.726 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS862DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH60V40A1212 | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS8132 | SIS |
|
QFP | 1561 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
| SIS82C450 | N/A |
|
DIP | 15000 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
SIS82C452
|
SIS |
|
Originalnew | 20000 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
| SIS82C50A | N/A |
|
DIP | 15000 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS83C611
|
|
95+ | 28000 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS862DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SIS862DN
|
VISHAY |
|
DFN33 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS862DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS862DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
DFN | 10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SIS862DN
|
VISHAY |
|
DFN33 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SIS862DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SIS862DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIS862DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH60V40A1212 | 59850 | 2020 | 24-08-15 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIS862DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
DFN | 10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIS862DNT1GE3 | VISHAY |
|
1067 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SIS862DNT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 150910 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SIS862DNT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SIS862DNT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65430 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SIS862DNT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 97490 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1