Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIS6360M1R0RT Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIS108DN-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 80V, 16A, 150DEG C, 24W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16 | ROHS COMPLIANT | 16,156 | 100+ : $0.8 500+ : $0.678 1000+ : $0.513 |
Купить сейчас
|
|
SIS108DN-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 80V, 16A, 150DEG C, 24W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16 | ROHS COMPLIANT | 16,156 | 1+ : $1.26 10+ : $1.03 100+ : $0.8 500+ : $0.678 1000+ : $0.513 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIS6360M-1R0T
|
EEMAG |
|
10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
|
||
|
SIS6360M-1R0RT
|
EE |
|
SMD | 10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SIS630
|
SIS |
|
BGA | 31500 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS635
|
SiS |
|
BGA3838 | 16650 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS630E
|
SIS |
|
BGA | 252 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS630S
|
BGA |
|
SiS | 33550 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS630ET
|
BGA |
|
SiS | 33550 | 2016 | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS6360M-1R0RT | EE |
|
SMD | 35000 | 2020+ | Instock | 24-08-15 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS626DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH25V16APOWERPAK1212 | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
|
| SIS698DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH100V6.9A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
|
| SIS606BDN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CHAN100VPOWERPAK1212 | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
|
| SIS612EDNT-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH20V50ASMT | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIS6360M-1R0RT | EE |
|
SMD | 35000 | 2020+ | Instock | 24-08-15 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SIS6360M-1R0RT
|
EE |
|
SMD | 10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SIS6360M-1R0T
|
EEMAG |
|
10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIS6360M1R0RT | EEMAG |
|
1388 | 11+ | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
1