Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIS435DNTT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIS434DN-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET,N CH,40V,35A,POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain | ROHS COMPLIANT | 22,300 | 100+ : $0.85 500+ : $0.747 1500+ : $0.646 |
Купить сейчас
|
|
SIS434DN-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET,N CH,40V,35A,POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain | ROHS COMPLIANT | 22,300 | 5+ : $1.1 50+ : $0.975 100+ : $0.85 500+ : $0.747 1500+ : $0.646 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS435DNT | VISHAY |
|
QFN | 441 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS435DNT-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIS435DNT-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V30A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIS435DNT
|
VISHAY |
|
DFN3.3x3.38L | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS435DNT-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAKSO-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-15 |
Цитата
|
|
SIS435DNT-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIS435DNT | VISHAY |
|
QFN | 441 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SIS435DNT
|
VISHAY |
|
DFN3.3x3.38L | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SIS435DNT-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAKSO-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SIS435DNT-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIS435DNT-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V30A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-15 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIS435DNT-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIS435DNTT1GE3 | VISHAY |
|
1389 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SIS435DNTT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
1