Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIRA01DPT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIRA01DP-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, P-CH, -30V, -60A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6 | ROHS COMPLIANT | 12,400 | 100+ : $1.11 500+ : $0.764 1500+ : $0.749 |
Купить сейчас
|
|
SIRA01DP-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, P-CH, -30V, -60A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6 | ROHS COMPLIANT | 12,400 | 5+ : $1.42 50+ : $1.27 100+ : $1.11 500+ : $0.764 1500+ : $0.749 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIRA01DP-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK-SO-8 | 21350 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SIRA01DP-T1-GE3
|
VIS |
|
-30V4.9m-26APMOSFET | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
HongDaElectronicsCo.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIRA01DP-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH30VPOWERPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-09-17 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIRA06DP-6E3 |
|
27776 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
||
|
SIRA00DP-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSO-8 | 42000 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SIRA02DP-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SO-8 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
| SIRA04DP-T1-GE3 | VIS |
|
SO-8 | 10500 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SIRA06DP-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PPAKSO8 | 7000 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|