![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIR410DP-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; D | ROHS COMPLIANT BY-EXEMPTION | 2,050 | 1+ : $1.26 10+ : $1.06 100+ : $0.82 500+ : $0.728 1000+ : $0.674 5000+ : $0.652 |
Купить сейчас
![]() |
SIR410DP-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, N-CH, 20V, 35A, 150DEG C, 36W; T; MOSFET, N-CH, 20V, 35A, 150DEG C, 36W; Transistor Polarity | ROHS COMPLIANT BY-EXEMPTION | 1+ : $1.26 10+ : $1.06 100+ : $0.82 500+ : $0.728 1000+ : $0.595 5000+ : $0.566 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIR410DP
![]() |
SI |
![]() |
QFN-8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1
![]() |
VISHAY |
![]() |
SOP8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1G
![]() |
SIX |
![]() |
16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
|
SIR410DP-T1-E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
QFN8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1-GE3
![]() |
V1SHAY |
![]() |
PowerPAKSO-8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIR410DP-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN-CH20V35APPAKSO-8 | 18000 | 2020 | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
PAKSO-8 | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIR412DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
PowerPAKSO-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
SIR418DP-T1-GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
PowerPAKSO-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-15 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SIR410DP
![]() |
SI |
![]() |
QFN-8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1
![]() |
VISHAY |
![]() |
SOP8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1-E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
QFN8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN-CH20V35APPAKSO-8 | 18000 | 2020 | 24-08-15 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
![]() |
|
SIR410DP-T1-GE3
![]() |
V1SHAY |
![]() |
PowerPAKSO-8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1-RE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
PAKSO-8 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SIR410DP-T1G
![]() |
SIX |
![]() |
16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-15 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |