Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIHD1K4N60EGE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIHD1K4N60E-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 4.2A, 600V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; D | ROHS COMPLIANT | 100+ : $0.85 500+ : $0.754 1000+ : $0.644 5000+ : $0.601 |
Купить сейчас
|
|
|
SIHD1K4N60E-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 4.2A, 600V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; D | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.19 10+ : $1.02 100+ : $0.85 500+ : $0.754 1000+ : $0.644 5000+ : $0.601 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHD12N50E-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CHAN500VDPAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SIHD14N60E-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CHANNEL600V13ADPAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHD12N50E-GE3 | VISHAY |
|
D-PAKTO-252AA | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIHD14N60ET1-GE3 | - |
|
164160 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIHD12N50E
|
VISHAY |
|
TO-252 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIHD14N60E
|
VISHAY |
|
SOT252 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SIHD11N80AE
|
ACTIVE |
|
DPAK(TO-252) | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SIHD180N60E
|
ACTIVE |
|
DPAK(TO-252) | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SIHD12N50EGE3
|
VISHAY |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHD14N60E-GE3 | VISHAY |
|
TO252 | 1330 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SIHD11N80AE
|
ACTIVE |
|
DPAK(TO-252) | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SIHD12N50E
|
VISHAY |
|
TO-252 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SIHD12N50E-GE3 | VISHAY |
|
D-PAKTO-252AA | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIHD12N50E-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CHAN500VDPAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIHD12N50E-GE3
|
VISHAY |
|
TO-252-2(DPAK) | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SIHD12N50EGE3
|
VISHAY |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SIHD14N60E
|
VISHAY |
|
SOT252 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SIHD14N60E-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CHANNEL600V13ADPAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
| SIHD14N60E-GE3 | VISHAY |
|
TO252 | 1330 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SIHD14N60E-GE3
|
VISHAY |
|
TO252 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SIHD14N60ET1-GE3 | - |
|
164160 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
|
SIHD180N60E
|
ACTIVE |
|
DPAK(TO-252) | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SIHD180N60E-GE3 | VISHAY |
|
DIP | 10000 | 19+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SIHD186N60EF-GE3
|
SILICONIXV |
|
10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|