Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIHB8N50DGE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIHB6N65E-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain | ROHS COMPLIANT | 1+ : $2.04 10+ : $1.78 100+ : $1.48 500+ : $1.33 1000+ : $1.22 5000+ : $1.17 |
Купить сейчас
|
|
|
SIHB11N80E-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 800V, 12A, 150DEG C, 179W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 2,465 | 100+ : $3.37 500+ : $3.17 1000+ : $2.72 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB12N60E | VISHAY |
|
TO-263 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIHB15N60E | VISHAY |
|
TO-263 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIHB22N60E | VISHAY |
|
TO-263 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
SIHB30N60E
|
VISHAY |
|
TO-263 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIHB33N60E | VISHAY |
|
TO-263 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SIHB8N50D
|
VISHAY |
|
D2PAK(TO-263) | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIHB8N50DXX
|
VISHAY |
|
TO-263 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIHB8N50D-GE3
|
VISHAY |
|
TO-263 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB8N50D-GE3 | VISHAY |
|
TO-263D2Pak | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB8N50D-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH500V8.7AD2PAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SIHB8N50D
|
VISHAY |
|
D2PAK(TO-263) | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SIHB8N50D-GE3 | VISHAY |
|
TO-263D2Pak | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIHB8N50D-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH500V8.7AD2PAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIHB8N50D-GE3
|
VISHAY |
|
TO-263 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SIHB8N50DXX
|
VISHAY |
|
TO-263 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|