Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIHB21N80AEGE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIHB21N80AE-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 800V, 17.4A, TO-263; | ROHS COMPLIANT | 999 | 1+ : $3.67 10+ : $3.09 100+ : $2.49 500+ : $2.18 1000+ : $1.85 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB21N60EF-GE3 | VISHAY |
|
TO-263ABD2PAK | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIHB21N65EF-GE3 | VISHAY |
|
D2PAKTO-263 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIHB21N60EF
|
VISHAY |
|
TO-263 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SIHB21N65EF
|
VISHAY |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SIHB21N60EFXX
|
VISHAY |
|
TO-263 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIHB21N60EF-GE3
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
||
|
SIHB21N65EF-GE3
|
VISHAY |
|
TO-263 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB21N60EF-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH600V21AD2PAKTO263 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SIHB21N65EF-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH650V21AD2PAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB22N60E | VISHAY |
|
TO-263 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIHB22N60SGE3 | sil |
|
8876 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SIHB22N60E-GE3
|
VISHAY |
|
NA | 210000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIHB28N60EF-GE3 | VISHAY |
|
15 | 1022 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SIHB21N60EF
|
VISHAY |
|
TO-263 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SIHB21N60EF-GE3 | VISHAY |
|
TO-263ABD2PAK | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIHB21N60EF-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH600V21AD2PAKTO263 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIHB21N60EF-GE3
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
||
|
SIHB21N60EFXX
|
VISHAY |
|
TO-263 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SIHB21N65EF
|
VISHAY |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SIHB21N65EF-GE3 | VISHAY |
|
D2PAKTO-263 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIHB21N65EF-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH650V21AD2PAK | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIHB21N65EF-GE3
|
VISHAY |
|
TO-263 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|