Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIHB18N60EGE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIHB180N60E-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 19A, 600V, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Dra | ROHS COMPLIANT | 1+ : $4.26 10+ : $3.5 100+ : $3 500+ : $2.75 1000+ : $2.52 |
Купить сейчас
|
|
|
SIHB180N60E-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 19A, 600V, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Dra | ROHS COMPLIANT | 100+ : $3 500+ : $2.75 1000+ : $2.52 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB18N60E-GE3 | VISHAY |
|
TO263 | 490 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB18N60E-GE3 | VISHAY |
|
TO-263D2Pak | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIHB18N60E
|
VISHAY |
|
D2PAK(TO-263) | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIHB18N60EXX
|
VISHAY |
|
TO-263 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIHB18N60E-GE3
|
VISHAY |
|
TO263 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIHB18N60E-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH600V18ATO263 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SIHB18N60E
|
VISHAY |
|
D2PAK(TO-263) | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SIHB18N60E-GE3 | VISHAY |
|
TO-263D2Pak | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIHB18N60E-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH600V18ATO263 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
| SIHB18N60E-GE3 | VISHAY |
|
TO263 | 490 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SIHB18N60E-GE3
|
VISHAY |
|
TO263 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SIHB18N60EXX
|
VISHAY |
|
TO-263 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|