Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIA471DJT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIA471DJ-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET TRANSISTOR, PCHANNEL,30.3 A, 30 V; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id | ROHS COMPLIANT | 18,927 | 5+ : $0.581 50+ : $0.503 100+ : $0.424 500+ : $0.322 1500+ : $0.316 |
Купить сейчас
|
|
SIA471DJ-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET TRANSISTOR, PCHANNEL,30.3 A, 30 V; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id | ROHS COMPLIANT | 18,927 | 100+ : $0.424 500+ : $0.322 1500+ : $0.316 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA449DJ-E33 |
|
13128 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
||
| SIA426DJT1GE3 | VISHAY/ |
|
427998 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SIA411DJ-T1-E3 | VISHAY |
|
PowerPAKSC-70-6 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIA443DJ-T1-E3 | VISHAY |
|
PowerPAKSC-70-6 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIA450DJ-T1-E3 | VISHAY |
|
PowerPAKSC-70-6 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA449DJ-E33 |
|
15316 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
||
| SIA426DJT1GE3 | VISHAY |
|
499331 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SIA450DJ-T1-E3 | VISHAY |
|
SC-70-6 | 62839 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIA413DJ-T1-GE3 | VISHAY |
|
DFN | 4158 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIA416DJ-T1-GE3 | VISHAY |
|
QFN-6 | 68362 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA472EDJ-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SIA477EDJ-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH12V12ASC-70-6L | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SIA477EDJT-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH12V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIA477EDJT
|
HAM |
|
ThinPowerPAKSC-70-6L | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIA477EDJ-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIA477EDJT-T1-E3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSO-8L | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIA477EDJT-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIA472EDJ-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
| SIA477EDJ-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH12V12ASC-70-6L | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIA477EDJ-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SIA477EDJT
|
HAM |
|
ThinPowerPAKSC-70-6L | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SIA477EDJT-T1-E3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSO-8L | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SIA477EDJT-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH12V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIA477EDJT-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIA471DJT1GE3 | VISHAY |
|
1049 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SIA471DJT1GE3 | VISHAY |
|
SMD | 200 | 2024-06-06 | An**** |
Цитата
|
1