Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIA411DJT1E3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIA416DJ-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 100V, 11.3A, PPAKSC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11 | ROHS COMPLIANT | 14,920 | 100+ : $0.597 500+ : $0.5 1000+ : $0.37 5000+ : $0.345 |
Купить сейчас
|
|
SIA416DJ-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 100V, 11.3A, PPAKSC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11 | ROHS COMPLIANT | 14,920 | 1+ : $0.935 10+ : $0.794 100+ : $0.597 500+ : $0.5 1000+ : $0.37 5000+ : $0.345 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA411DJ | VISHAY |
|
13000 | 14-15+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIA411DJ-T1-E3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIA411DJ-T1-GE
|
VISHAY |
|
QFN | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SIA411DJ-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA411DJ-T1-E3 | VISHAY |
|
PowerPAKSC-70-6 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA413DJ-T1-GE3 | VISHAY |
|
DFN | 4158 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIA416DJ-T1-GE3 | VISHAY |
|
QFN-6 | 68362 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SIA413ADJ-T1-GE3 | VISHAY |
|
SC70-6 | 35000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA411DJ-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SIA411DJ-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIA411DJ | VISHAY |
|
13000 | 14-15+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SIA411DJ-T1-E3 | VISHAY |
|
PowerPAKSC-70-6 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SIA411DJ-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIA411DJ-T1-E3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SIA411DJ-T1-GE
|
VISHAY |
|
QFN | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SIA411DJ-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V12ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SIA411DJ-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSC-70 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SIA411DJT1E3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 140170 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SIA411DJT1E3 | NEW |
|
Original package well | 78710 | 2016+ | Globally & Immediately | 2024-08-05 | Re**** |
Цитата
|
| SIA411DJT1E3 | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 40920 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SIA411DJT1E3 |
|
1044 | 2024-07-01 | 株式**** |
Цитата
|
||||
| SIA411DJT1E3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 59300 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SIA411DJT1E3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 69470 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
| SIA411DJT1E3 | Texas |
|
NEW & Original Parts | 86390 | 19+RoHS | Stock On Hand, best quality | 2023-08-14 | **** |
Цитата
|
| SIA411DJT1E3 | VISHAY |
|
MOSFEtSIP-CHANNELENHANCEMENTSINGLEV/DS:20V | 968 | 2013-08-07 | LT**** |
Цитата
|
1