Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SIA110DJT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SIA110DJ-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 100V, 12A, 150DEG C, 19W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1 | ROHS COMPLIANT | 32,560 | 5+ : $1.06 50+ : $0.938 100+ : $0.815 500+ : $0.564 1500+ : $0.553 |
Купить сейчас
|
|
SIA110DJ-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 100V, 12A, 150DEG C, 19W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1 | ROHS COMPLIANT | 32,560 | 100+ : $0.815 500+ : $0.564 1500+ : $0.553 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA1125 | Newstock |
|
Original | 22500 | 2016+ | Instock | 24-09-17 |
Цитата
|
HongDaElectronicsCo.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA110DJ-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CHAN100VPOWERPAKSC-7 | 59850 | 2020 | 24-09-17 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SIA120000 |
|
DIP | 690550000 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SIA101
|
KODENSHI |
|
10000 | 2022+ | 24-09-17 |
Цитата
|
||
|
SIA100A
|
SETI |
|
BGA | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SIA101R
|
KODENSHI |
|
10000 | 2022+ | 24-09-17 |
Цитата
|
||
|
SIA1200
|
|
QFN | 19999 | 2022+ | IN STOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
|
|
SIA120000
|
KUANHIS |
|
DIP | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-09-17 |
Цитата
|