Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI7922DNT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI7922DN
|
VISHAY |  |
MOSFET, DUAL, NN, POWERPAK; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Dr | ROHS COMPLIANT | 1+ : $2.47 10+ : $2.1 100+ : $1.78 500+ : $1.49 1000+ : $1.27 5000+ : $1.19 |
Купить сейчас
|
|
| SI7922DN | VISHAY | |
MOSFET, DUAL, NN, POWERPAK; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Dr | ROHS COMPLIANT | 100+ : $1.78 500+ : $1.49 1000+ : $1.27 5000+ : $1.19 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI7922DN
|
VISHAY |
|
QFN | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1
|
VISHAY |
|
QFN | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
QFN8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI7922DN-TI-E3 | VISHAY |
|
SOP8 | 9150 | 11-12+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7922DN-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH100V1.8A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI7922DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH100V1.8A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI7922DN-T1-E3
|
VISHAY/ |
|
48000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI7922DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8Dual | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI7922DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
QFN8 | 7000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI7922DN
|
VISHAY |
|
QFN | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1
|
VISHAY |
|
QFN | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1-E3
|
VISHAY/ |
|
48000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
| SI7922DN-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH100V1.8A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI7922DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
QFN8 | 7000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
QFN8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI7922DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8Dual | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI7922DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH100V1.8A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI7922DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
QFN-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI7922DN-T1-GTR
|
SIX |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SI7922DN-TI-E3 | VISHAY |
|
SOP8 | 9150 | 11-12+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI7922DNT1GE3 | VISHAY |
|
1354 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
|
SI7922DNT1GE3
|
Distributor |
|
for more pls inquire us now | 131230 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI7922DNT1GE3 | NEW |
|
Original package well | 98890 | 2016+ | Globally & Immediately | 2024-08-05 | Re**** |
Цитата
|
| SI7922DNT1GE3 | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 40460 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SI7922DNT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI7922DNT1GE3 | VISHAY |
|
250 | 08+ | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
||
|
SI7922DNT1GE3
|
NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66350 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI7922DNT1GE3 | VISHAY |
|
250 | 08+ | 2023-10-23 | 株式**** |
Цитата
|
||
|
SI7922DNT1GE3
|
TI |
|
Original Parts&RoHS | 78010 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
| SI7922DNT1GE3 | Texas |
|
NEW & Original Parts | 96370 | 19+RoHS | Stock On Hand, best quality | 2023-08-14 | **** |
Цитата
|
| SI7922DNT1GE3 | vishay |
|
3000 | 15+ | 2020-11-05 | Ex**** |
Цитата
|
||
| SI7922DNT1GE3 |
|
1000 | 2020-07-03 | Na**** |
Цитата
|
||||
| SI7922DNT1GE3 | VISHAY |
|
SMD | 959500 | 15+ | 959500 | 2017-06-10 | Yi**** |
Цитата
|
| SI7922DNT1GE3 |
|
500 | 2015-06-29 | X-**** |
Цитата
|
||||
| SI7922DNT1GE3 |
|
N/A | 5000 | 2015-03-23 | We**** |
Цитата
|
|||
| SI7922DNT1GE3 |
|
12000 | 2014-04-02 | eP**** |
Цитата
|
||||
| SI7922DNT1GE3 |
|
1000 | 2013-12-05 | TR**** |
Цитата
|
1