Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI7842DPT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI7846DP
|
VISHAY |  |
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage | ROHS COMPLIANT | 1+ : $3.16 10+ : $2.6 100+ : $2.23 500+ : $2.04 1000+ : $1.87 |
Купить сейчас
|
|
|
SI7846DP
|
VISHAY | |
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage | ROHS COMPLIANT | 100+ : $2.23 500+ : $2.04 1000+ : $1.87 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7842DPT1E3 | PB-FREE |
|
ROSH&New | 42000 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7842DP-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V6.3APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI7842DP-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V6.3APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI7842DP
|
SI |
|
QFN-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7842DP-T1
|
VISHAY |
|
QFN8 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SI7842DP-T1-E3
|
VISHAY |
|
QFN | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7842DP-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSO-8Dual | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI7842DPT1E3
|
PB-FREE |
|
ROSH&New | 20000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI7842DP
|
VISHAY |
|
QFN | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SI7842DP
|
SI |
|
QFN-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI7842DP-T1
|
VISHAY/ |
|
SO-8 | 84000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SI7842DP-T1
|
VISHAY |
|
QFN8 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI7842DP-T1-E3
|
VISHAY/SIL |
|
Original&New | 20000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI7842DP-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V6.3APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI7842DP-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAKSO-8 | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI7842DP-T1-E3
|
VISHAY |
|
QFN | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI7842DP-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAKSO-8Dual | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI7842DP-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V6.3APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI7842DP-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAKSO-8Dual | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI7842DPT1E3
|
PB-FREE |
|
ROSH&New | 20000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI7842DPT1E3 | PB-FREE |
|
ROSH&New | 42000 | 2016 | Instock | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI7842DPT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 131230 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI7842DPT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66550 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI7842DPT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 76190 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1