Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI7629DNT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI7623DN-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, P-CH, 20V, 35A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; | ROHS COMPLIANT | 100+ : $1.03 500+ : $0.868 1000+ : $0.858 5000+ : $0.841 |
Купить сейчас
|
|
|
SI7623DN-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, P-CH, 20V, 35A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.61 10+ : $1.32 100+ : $1.03 500+ : $0.868 1000+ : $0.858 5000+ : $0.841 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI7629DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7629DN-T1-GE3 | VISHAY-SEM |
|
Originalnew | 30000 | 2016 | Instock | 24-09-17 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI7629DNT1GE3
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | 24-09-17 |
Цитата
|
HongDaElectronicsCo.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7629DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V35A1212-8PPAK | 59850 | 2020 | 24-09-17 |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI7629DNT1GE3 | VISHAY |
|
1020 | 2024-09-11 | l-tronics |
Цитата
|
|||
| SI7629DNT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 129890 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-09-05 | Microtranik Components Inc |
Цитата
|
| SI7629DNT1GE3 | VISHAY |
|
503 | 13+ | 2024-08-29 | TOKYO SUPER DEVICE CO.,LTD |
Цитата
|
||
| SI7629DNT1GE3 |
|
4764 | 2024-08-27 | 株式会社eParts Electronics |
Цитата
|
||||
| SI7629DNT1GE3 | vishay |
|
4656 | ICRFQ | 2024-07-18 | RANTLE EAST ELECTRONIC > www.digsemi.com |
Цитата
|
||
| SI7629DNT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tripleplus.Co.,Ltd |
Цитата
|
||||
|
SI7629DNT1GE3
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | 2024-04-25 | Nego IC Co. |
Цитата
|
||
| SI7629DNT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66110 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | Evatronix(HK) Electronics Trade Inc |
Цитата
|
| SI7629DNT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77730 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Transcrui Microcircuit Corporation |
Цитата
|
| SI7629DNT1GE3 | vishay |
|
3000 | 15+ | 2020-11-05 | Excellent Electronics Components Inc |
Цитата
|
||
| SI7629DNT1GE3 |
|
2010 | 2014-04-02 | eParts Electronic Co.Ltd |
Цитата
|
||||
| SI7629DNT1GE3 |
|
2971 | 2013-12-05 | TRIPLE TECHNOLOGY COMPONENTS LIMITED |
Цитата
|
1