Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI7625DNT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI7625DN-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, P CH, -30V, -35A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 15,463 | 100+ : $0.904 500+ : $0.778 1000+ : $0.633 |
Купить сейчас
|
|
SI7625DN-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, P CH, -30V, -35A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 15,463 | 1+ : $1.35 10+ : $1.13 100+ : $0.904 500+ : $0.778 1000+ : $0.633 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7625DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
924000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI7625DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
QFN8 | 392 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7625DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH30V35A1212-8PPAK | 36000 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI7625DN
|
VISHAY |
|
DFN33 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7625DN-T1G
|
SIX |
|
16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SI7625DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7625DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK-1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI7625DN
|
VISHAY |
|
DFN33 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI7625DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
PAK1212-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI7625DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
QFN8 | 392 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI7625DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH30V35A1212-8PPAK | 36000 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
| SI7625DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
924000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
|
SI7625DN-T1-GE3
|
VISHAY |
|
PowerPAK-1212-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI7625DN-T1G
|
SIX |
|
16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI7625DNT1GE3 | VISHAY |
|
1344 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
|
SI7625DNT1GE3
|
Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130490 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI7625DNT1GE3 | NEW |
|
Original package well | 98470 | 2016+ | Globally & Immediately | 2024-08-05 | Re**** |
Цитата
|
| SI7625DNT1GE3 | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 40270 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SI7625DNT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI7625DNT1GE3 | VISH |
|
PowerPAK1212 | 4000 | 2024-06-06 | An**** |
Цитата
|
||
| SI7625DNT1GE3 | SAMSUNG |
|
100 | 11+ | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
||
|
SI7625DNT1GE3
|
NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66710 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
|
SI7625DNT1GE3
|
TI |
|
Original Parts&RoHS | 77330 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
| SI7625DNT1GE3 | Texas |
|
NEW & Original Parts | 95950 | 19+RoHS | Stock On Hand, best quality | 2023-08-14 | **** |
Цитата
|
1