Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI7302DNT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI7308DN-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 60V, 6A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6 | ROHS COMPLIANT | 4,062 | 1+ : $1.36 10+ : $1.14 100+ : $0.923 500+ : $0.807 1000+ : $0.773 5000+ : $0.764 |
Купить сейчас
|
|
SI7308DN-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 60V, 6A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6 | ROHS COMPLIANT | 4,062 | 100+ : $0.923 500+ : $0.807 1000+ : $0.773 5000+ : $0.764 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7304 | SANKEN |
|
Ä£¿é | 1300 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
SI7300A
|
SANKEN |
|
leadedpart50pcs/box | 25000 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI7308DN | VISHAY |
|
QFN8 | 3150 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7308DN-T1-E3
|
VISHAY |
|
QFN | 1610 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI7308DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
QFN8 | 420 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7302DN-T1-E3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI7302DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
PowerPAK1212-8 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI7302DNT1E3
|
SIL |
|
SMD | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI7302DN-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH220V8.4A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI7302DN-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH220V8.4A1212-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI7302DNT1E3
|
SIL |
|
SMD | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI7302DNT1GE3
|
Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130450 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
|
SI7302DNT1GE3
|
NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65630 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
|
SI7302DNT1GE3
|
TI |
|
Original Parts&RoHS | 76970 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1