Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI5855DCT1E3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5447DC
|
VISHAY |  |
MOSFET, P, 1206-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Vol | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.08 10+ : $0.903 100+ : $0.747 500+ : $0.638 1000+ : $0.552 5000+ : $0.527 |
Купить сейчас
|
|
| SI5XX-EVB | SILICON LABS | |
ROHS COMPLIANT | 1+ : $105.47 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5855DC
|
VISHAY |
|
1206-8vs-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5855DC-T1
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5855DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5855DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
114504 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5855DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5855DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V2.7A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5855DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
SMD | 225999 | 2020+ | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI5855DC
|
VISHAY |
|
1206-8vs-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5855DC-T1
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5855DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI5855DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V2.7A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5855DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
SMD | 225999 | 2020+ | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI5855DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5855DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
114504 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI5855DCT1E3 | VISHAY |
|
1390 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
|
SI5855DCT1E3
|
Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130230 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI5855DCT1E3 | NEW |
|
Original package well | 98150 | 2016+ | Globally & Immediately | 2024-08-05 | Re**** |
Цитата
|
| SI5855DCT1E3 | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 40220 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SI5855DCT1E3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI5855DCT1E3 |
|
1320 | 2024-07-01 | 株式**** |
Цитата
|
||||
| SI5855DCT1E3 | VISHAY |
|
160 | 06+ROHS | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
||
|
SI5855DCT1E3
|
NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66830 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI5855DCT1E3 |
|
2500 | 2023-10-23 | 株式**** |
Цитата
|
||||
|
SI5855DCT1E3
|
TI |
|
Original Parts&RoHS | 76610 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
| SI5855DCT1E3 | Texas |
|
NEW & Original Parts | 85830 | 19+RoHS | Stock On Hand, best quality | 2023-08-14 | **** |
Цитата
|
| SI5855DCT1E3 |
|
1000 | 2020-07-03 | Na**** |
Цитата
|
||||
| SI5855DCT1E3 |
|
160 | 2015-06-29 | X-**** |
Цитата
|
||||
| SI5855DCT1E3 |
|
12000 | 2014-04-02 | eP**** |
Цитата
|
||||
| SI5855DCT1E3 |
|
2030 | 2013-12-05 | TR**** |
Цитата
|
1