Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI5515DCT1E3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5515CDC-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N & P CH, 20V, 0.03OHM, 4A, 1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Curr | ROHS COMPLIANT | 1,308 | 1+ : $1.15 10+ : $0.986 100+ : $0.684 500+ : $0.571 1000+ : $0.432 5000+ : $0.425 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5515DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5515DC-T1-E3 | VISHAY |
|
QFN1206-8 | 4683 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5515DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V4.4A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI5515DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V4.4A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5515DCT1
|
VISHAY |
|
19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI5515DCT1
|
VISHAY |
|
19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI5515DCT1E3 | VISHAY |
|
1019 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI5515DCT1E3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130570 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3 | NEW |
|
Original package well | 98010 | 2016+ | Globally & Immediately | 2024-08-05 | Re**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3 | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 40740 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI5515DCT1E3 |
|
1168 | 2024-07-01 | 株式**** |
Цитата
|
||||
| SI5515DCT1E3 | Vishay |
|
Transistor | 3000 | 2024-06-06 | An**** |
Цитата
|
||
| SI5515DCT1E3 | vishay |
|
669 | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
|||
| SI5515DCT1E3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65110 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3 | NewOrigina |
|
ROHS | 84210 | 12+ | 2023-12-15 | IC**** |
Цитата
|
|
| SI5515DCT1E3 |
|
2500 | 2023-10-23 | 株式**** |
Цитата
|
||||
| SI5515DCT1E3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77470 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3 | Texas |
|
NEW & Original Parts | 85690 | 19+RoHS | Stock On Hand, best quality | 2023-08-14 | **** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3 | New Original parts |
|
ROHS | 84210 | 12+ | STOCK | 2023-07-28 | YE**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3 |
|
1200 | 2020-07-03 | Na**** |
Цитата
|
||||
| SI5515DCT1E3 |
|
379 | 2015-06-29 | X-**** |
Цитата
|
||||
| SI5515DCT1E3 | vishay |
|
N/A | 11350 | 09+ROHS | 2015-03-23 | We**** |
Цитата
|
|
| SI5515DCT1E3 |
|
20000 | 2013-12-05 | TR**** |
Цитата
|
||||
| SI5515DCT1E3. | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130370 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3. | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66870 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI5515DCT1E3. | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77270 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1