![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5513DC-T1-E3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Dra | ROHS COMPLIANT | 10+ : $0.573 |
Купить сейчас
![]() |
|
SI5513DC-T1-E3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Dra | ROHS COMPLIANT | 1+ : $0.622 10+ : $0.573 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5513DCT1E3
![]() |
RoHs |
![]() |
Original&New | 20000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5513DC-T1-E3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN/P-CH20V3.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
|
SI5513DC-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN/P-CH20V3.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5513DCT1E3 | RoHs |
![]() |
Original&New | 15000 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5513DCT1E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SI5513DCT1E3
![]() |
RoHs |
![]() |
Original&New | 20000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
![]() |
SI5513DCT1E3 | RoHs |
![]() |
Original&New | 15000 | 2016 | Instock | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
![]() |
SI5513DCT1E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |