Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI5511DCT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5513DC-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Dra | ROHS COMPLIANT | 10+ : $0.573 |
Купить сейчас
|
|
|
SI5513DC-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Dra | ROHS COMPLIANT | 1+ : $0.622 10+ : $0.573 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5511DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V4A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI5511DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V4A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5513DCT1E3 | RoHs |
|
Original&New | 15000 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI5515DC-T1-E3 | VISHAY |
|
QFN1206-8 | 4683 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
SI5517DU-T1-GE3
|
VISHAY |
|
ChipFET1206-8 | 42000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI5513CDC-T1-GE3 | VISHAY |
|
NA | 7000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5511DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5511DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5511DC-T1-GE3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI5511DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V4A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5511DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5511DC-T1-GE3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI5511DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V4A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5511DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI5511DCT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130110 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI5511DCT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65630 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI5511DCT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 76870 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1