Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI5509DCT1E3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5504DC-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Dra | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.11 |
Купить сейчас
|
|
|
SI5504DC-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Dra | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.11 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5504DC-E3 | VISHAY |
|
8-SMD | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
SI5504DC-T1
|
VISHAY |
|
SSOT8P | 59500 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI5504DC-T1-E3 | VISHAY |
|
SMD | 126999 | 2020+ | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5509DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI5509DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5509DC
|
VISHAY |
|
1206-8 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5509DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5509DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5509DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI5509DC
|
VISHAY |
|
1206-8 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5509DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI5509DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5509DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5509DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5509DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI5509DCT1E3 | VISHAY |
|
1483 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI5509DCT1E3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130250 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI5509DCT1E3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI5509DCT1E3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65550 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI5509DCT1E3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77010 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1