Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI55006F Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5504DC-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Dra | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.11 |
Купить сейчас
|
|
|
SI5504DC-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Dra | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.11 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5504DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V2.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI5509DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI5504BDC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V4A1206-8 | 48000 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI5504DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V2.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI5509DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5503
|
SILICONLAB |
|
QFN | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI5504
|
VISHAY |
|
TO-23 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI5504BC
|
VISHAY |
|
SOP | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI5504DC
|
VISHAY |
|
8PIN | 10000 | 2022+ | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI5509DC
|
VISHAY |
|
1206-8 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5504DC-E3 | VISHAY |
|
8-SMD | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI5504DC-T1
|
VISHAY |
|
SSOT8P | 59500 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI5504DC-T1-E3 | VISHAY |
|
SMD | 126999 | 2020+ | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5504DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI5509DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI5504BDC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI5503
|
SILICONLAB |
|
QFN | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504
|
VISHAY |
|
TO-23 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504BC
|
VISHAY |
|
SOP | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504BDC
|
HAM |
|
1206-8ChipFET | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5504BDC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V4A1206-8 | 48000 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5504BDC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504BDC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SI5504BDC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504BDC-T1G
|
SIX |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI5504BDCT1E3
|
VISHAY |
|
SMD | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504DC
|
VISHAY |
|
8PIN | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SI5504DC-E3 | VISHAY |
|
8-SMD | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI5504DC-E3
|
VISHAY |
|
8-SMD | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504DC-T
|
VISHAY |
|
SOT | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504DC-T1
|
VISHAY |
|
SSOT8P | 59500 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI5504DC-T1
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5504DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI5504DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V2.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
| SI5504DC-T1-E3 | VISHAY |
|
SMD | 126999 | 2020+ | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI5504DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5504DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V2.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5504DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5505AVC-X
|
ST |
|
QFP | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5509DC
|
VISHAY |
|
1206-8 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5509DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI5509DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5509DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5509DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH20V6.1A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5509DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI550AE307M200G
|
SILABS |
|
NA | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|