Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI5499DCT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5447DC
|
VISHAY |  |
MOSFET, P, 1206-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Vol | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.08 10+ : $0.903 100+ : $0.747 500+ : $0.638 1000+ : $0.552 5000+ : $0.527 |
Купить сейчас
|
|
SI5479DU-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, P, POWERPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Vo | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.53 10+ : $1.29 100+ : $1.07 500+ : $0.908 1000+ : $0.785 5000+ : $0.75 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI542 |
|
sop | 16000 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5414H
|
N/A |
|
Originalnew | 33550 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI5411-H | KODENSHI |
|
24934 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI5412-H | KODENSHI |
|
24934 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI5413-H | KODENSHI |
|
24934 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5499DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH8V6A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI5499DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH8V6A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5499DCT1E3
|
SIL |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5499DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI5499DC-T1-GE3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI5499DCT1E3
|
SIL |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI5499DCT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 131250 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI5499DCT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65710 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI5499DCT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77770 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1