Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI5443DCT1E3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5447DC
|
VISHAY |  |
MOSFET, P, 1206-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Vol | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.08 10+ : $0.903 100+ : $0.747 500+ : $0.638 1000+ : $0.552 5000+ : $0.527 |
Купить сейчас
|
|
| SI5441BDC-T1-GE3 | VISHAY | |
ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.64 10+ : $1.41 100+ : $1.16 250+ : $1.14 500+ : $1.03 3000+ : $0.754 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5443DC
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5443DC-71
|
|
16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
||
|
SI5443DC-T1
|
SILICONIX |
|
SOT1206-8P | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5443DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI5443DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5443DC-T1
|
01+ |
|
CHIP8L | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI5443DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI5443DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V3.6A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI5443DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V3.6A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI5443DC-T1
|
SILICONIX |
|
TO8P | 7700 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI5443DC-T1-E3 | VISHAY |
|
SOP8 | 700 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI5443DC
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI5443DC-71
|
|
16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
||
|
SI5443DC-T1
|
01+ |
|
CHIP8L | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SI5443DC-T1
|
SILICONIX |
|
TO8P | 7700 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI5443DC-T1
|
SILICONIX |
|
SOT1206-8P | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5443DC-T1-E3 | VISHAY |
|
1206-8ChipFET | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI5443DC-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V3.6A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
| SI5443DC-T1-E3 | VISHAY |
|
SOP8 | 700 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI5443DC-T1-E3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI5443DC-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V3.6A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI5443DC-T1-GE3
|
VISHAY |
|
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI5443DCT1E3 | VISHAY |
|
1220 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI5443DCT1E3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 130430 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI5443DCT1E3 | NEW |
|
Original package well | 99130 | 2016+ | Globally & Immediately | 2024-08-05 | Re**** |
Цитата
|
| SI5443DCT1E3 | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 40390 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SI5443DCT1E3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI5443DCT1E3 |
|
9000 | 2024-07-01 | 株式**** |
Цитата
|
||||
| SI5443DCT1E3 | VISHAY |
|
2550 | 05+PB | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
||
| SI5443DCT1E3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66410 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI5443DCT1E3 | NewOrigina |
|
ROHS | 84210 | 12+ | 2023-12-15 | IC**** |
Цитата
|
|
| SI5443DCT1E3 |
|
2500 | 2023-10-23 | 株式**** |
Цитата
|
||||
| SI5443DCT1E3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77190 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
| SI5443DCT1E3 | Texas |
|
NEW & Original Parts | 86810 | 19+RoHS | Stock On Hand, best quality | 2023-08-14 | **** |
Цитата
|
| SI5443DCT1E3 | New Original parts |
|
ROHS | 84210 | 12+ | STOCK | 2023-07-28 | YE**** |
Цитата
|
| SI5443DCT1E3 |
|
1000 | 2020-07-03 | Na**** |
Цитата
|
||||
| SI5443DCT1E3 |
|
P-CHANNEL2.5VMOSFETMystock | 5 | 2019-12-16 | Sp**** |
Цитата
|
|||
| SI5443DCT1E3 |
|
2600 | 2013-12-05 | TR**** |
Цитата
|
1