![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI5403DC-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, P-CH, -30V, 6A, CHIFFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drai | ROHS COMPLIANT | 674 | 100+ : $0.823 500+ : $0.601 1500+ : $0.589 |
Купить сейчас
![]() |
SI5403DC-T1-GE3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, P-CH, -30V, 6A, CHIFFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drai | ROHS COMPLIANT | 674 | 5+ : $1.02 50+ : $0.922 100+ : $0.823 500+ : $0.601 1500+ : $0.589 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5402DC-T1 | VISHAY/ |
![]() |
1206-8 | 521500 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5402DC
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
SI5402DC-TI
![]() |
SI |
![]() |
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
|
SI5402DC-T1-E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1-GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5402DC-T1-E3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN-CH30V4.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
|
SI5402DC-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN-CH30V4.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI5402DC-T1
![]() |
SILICONIX |
![]() |
TO8P | 5600 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1-E3 | VISHAY |
![]() |
1206-8 | 6678 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SI5402DC
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1 | VISHAY/ |
![]() |
1206-8 | 521500 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1
![]() |
SILICONIX |
![]() |
TO8P | 5600 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1-E3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN-CH30V4.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
![]() |
|
SI5402DC-T1-E3 | VISHAY |
![]() |
1206-8 | 6678 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1-E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SI5402DC-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETN-CH30V4.9A1206-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
![]() |
|
SI5402DC-T1-GE3
![]() |
VISHAY |
![]() |
1206-8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |
SI5402DC-TI
![]() |
SI |
![]() |
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |