Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI4922BDYT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI4922BDY-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, DUAL, N, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Sou | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.99 25+ : $1.66 100+ : $1.36 250+ : $1.33 1000+ : $1.31 2000+ : $1.28 4000+ : $1.25 7000+ : $1.22 |
Купить сейчас
|
|
|
SI4922BDY-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, DUAL, N, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Sou | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.99 25+ : $1.66 100+ : $1.36 250+ : $1.33 1000+ : $1.31 2000+ : $1.28 4000+ : $1.25 7000+ : $1.22 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4922BDY-T1-E3 | VISHAY |
|
SOP8 | 966 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4922BDY
|
SI |
|
SOP-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SI4922BDY-T1
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SI4922BDY-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SI4922BDY-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SI4922BDY-T1-E3SI4922BDY-T1-
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-09-17 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI4922BDY-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOP | 483 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
|
SI4922BDY-T1-GE3
|
VISHAY |
|
8-SO | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-09-17 |
Цитата
|
HongDaElectronicsCo.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4922BDY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V8A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-09-17 |
Цитата
|
|
| SI4922BDY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V8A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-09-17 |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI4922BDYT1GE3 | VISHAY |
|
1176 | 2024-09-11 | l-tronics |
Цитата
|
|||
| SI4922BDYT1GE3 | VISHAY |
|
BGA | 118 | 2024-09-11 | ALL NEW SEMI Electronics Co., LIMITED |
Цитата
|
||
| SI4922BDYT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 150750 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-09-05 | Microtranik Components Inc |
Цитата
|
| SI4922BDYT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tripleplus.Co.,Ltd |
Цитата
|
||||
| SI4922BDYT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65630 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | Evatronix(HK) Electronics Trade Inc |
Цитата
|
| SI4922BDYT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 97290 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Transcrui Microcircuit Corporation |
Цитата
|
1