Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI4542DYT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI4542DY
|
VISHAY SILICONIX |  |
MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain | ROHS COMPLIANT | 100+ : $1.31 500+ : $1.1 1000+ : $0.933 5000+ : $0.873 |
Купить сейчас
|
|
|
SI4542DY
|
VISHAY | |
MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.82 10+ : $1.55 100+ : $1.31 500+ : $1.1 1000+ : $0.933 5000+ : $0.873 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4542DY
|
ON |
|
8-SO | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI4542DY-T1
|
|
SMD | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SI4542DY-T1-E3
|
VISHAY/ |
|
SOP-8 | 70 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI4542DY-T1-GE3
|
VISHAY |
|
8-SO | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI4542DY-T1
|
SILICONIX |
|
1904 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4542DY-T1-E3 | VISHAY |
|
Original&New | 11000 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI4542DY | silicon |
|
SOP8 | 651 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI4542DYT1
|
VISHAY |
|
SO-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4542DY | ONSemicond |
|
MOSFETN/P-CH30V6A8SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4542DY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4542DY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI4542DYT1
|
VISHAY |
|
SO-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI4542DYT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 151030 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI4542DYT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 59820 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI4542DYT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 69730 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1