![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI4435DY
![]() |
ONSEMI | ![]() |
TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source V | ROHS COMPLIANT | 12,099 | 5+ : $1.43 10+ : $1.12 100+ : $0.98 500+ : $0.839 |
Купить сейчас
![]() |
SI4435DY
![]() |
ONSEMI | ![]() |
MOSFET, P-CH, 30V, 8.8A, 175DEG C, 2.5W; | ROHS COMPLIANT | 5,000 | 2500+ : $0.822 7500+ : $0.719 20000+ : $0.596 37500+ : $0.536 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
![]() |
18550 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4435BDYT1E3 | VISHAY/ |
![]() |
15900 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4435BDYT1E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4435BDY-T1-E3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETP-CH30V7A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SI4435BDYT1E3 | VISHAY/ |
![]() |
15900 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
![]() |
|
SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
![]() |
18550 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
![]() |
|
SI4435BDYT1E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |