Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI4435BDYT1E3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI4435DY
|
ONSEMI |  |
TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source V | ROHS COMPLIANT | 12,099 | 5+ : $1.43 10+ : $1.12 100+ : $0.98 500+ : $0.839 |
Купить сейчас
|
SI4435DY
|
ONSEMI | |
MOSFET, P-CH, 30V, 8.8A, 175DEG C, 2.5W; | ROHS COMPLIANT | 5,000 | 2500+ : $0.822 7500+ : $0.719 20000+ : $0.596 37500+ : $0.536 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4435BDY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH30V7A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY/ |
|
15900 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4435BDYT1E3
|
VISHAY |
|
19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
18550 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY/ |
|
15900 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
18550 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
|
SI4435BDYT1E3
|
VISHAY |
|
19688 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI4435BDYT1E3 | VishaySil |
|
MOSFETP-CH30V7A8SO | 243 | N/A | 2024-08-13 | Ki**** |
Цитата
|
|
| SI4435BDYT1E3 |
|
649652 | 13+ | stock | 2024-08-10 | fe**** |
Цитата
|
||
| SI4435BDYT1E3 |
|
13+ | 649652 | 13+ | stock | 2024-08-10 | AN**** |
Цитата
|
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
1060 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI4435BDYT1E3 |
|
649652 | 13+ | stock | 2024-08-05 | Fe**** |
Цитата
|
||
| SI4435BDYT1E3 |
|
13+ | 649652 | 13+ | stock | 2024-08-05 | fe**** |
Цитата
|
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
for more pls inquire us now | 173370 | 17+ | original instock,best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
|
SI4435BDYT1E3
|
Distributor |
|
for more pls inquire us now | 151050 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
RoHS Compliant | 38344 | 14+ | Good,Always Ready | 2024-08-05 | TI**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | NEW |
|
Original package well | 98550 | 2016+ | Globally & Immediately | 2024-08-05 | Re**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
Pb-Free | 26879 | 2014+ | HOT SALE !!! | 2024-08-05 | Un**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
new and original package well | 684000 | 15-16+ | INSTOCK & GLOBAL | 2024-08-05 | RE**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
NEW RoHS and More QTY | 38570 | 16+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 41000 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2024-08-05 | Se**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
2016+ | 45730 | 2016+ | 1-2 days | 2024-08-05 | MA**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 |
|
649652 | 13+ | stock | 2024-07-29 | St**** |
Цитата
|
||
| SI4435BDYT1E3 |
|
649652 | 13+ | stock | 2024-07-29 | sa**** |
Цитата
|
||
| SI4435BDYT1E3 |
|
649652 | 13+ | stock | 2024-07-29 | pu**** |
Цитата
|
||
| SI4435BDYT1E3 |
|
649652 | 13+ | stock | 2024-07-29 | KA**** |
Цитата
|
||
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
18550 | 20+PB | Pb-Free | 2024-07-24 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
| SI4435BDYT1E3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI4435BDYT1E3 |
|
1100 | 2024-07-01 | 株式**** |
Цитата
|
||||
|
SI4435BDYT1E3
|
VISHAY |
|
255 | 09+ | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
||
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
standard package with RoHS | 45730 | 2016+ | 1-2 days | 2024-04-26 | MA**** |
Цитата
|
|
SI4435BDYT1E3
|
VISHAY |
|
19688 | 2022+ | INSTOCK | 2024-04-25 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI4435BDYT1E3
|
NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 60920 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
|
SI4435BDYT1E3
|
NewOrigina |
|
ROHS | 84210 | 12+ | 2023-12-15 | IC**** |
Цитата
|
|
| SI4435BDYT1E3 | Semiconductor |
|
RoHS Compliant | 20685 | 16/17+ | new and original in hand | 2023-11-28 | AN**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | VISHAY |
|
RoHS Compliant | 38344 | 17+/18+ | New Stock,Always Ready | 2023-10-23 | Ti**** |
Цитата
|
| SI4435BDYT1E3 | Semiconductor |
|
RoHS Compliant | 63510 | 14+ | Can Respond ASAP | 2023-10-23 | AN**** |
Цитата
|
1
2
3
Далее
>
Последний