![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI4431BDY-T1-E3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, P, 8-SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Vol | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.36 10+ : $1.14 100+ : $0.943 500+ : $0.806 1000+ : $0.697 5000+ : $0.666 |
Купить сейчас
![]() |
|
SI4431BDY-T1-E3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, P, 8-SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Vol | ROHS COMPLIANT | 100+ : $0.943 500+ : $0.806 1000+ : $0.697 5000+ : $0.666 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4431BDY-T1-E3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETP-CH30V5.7A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
|
SI4431BDY-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFETP-CH30V5.7A8SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4431B1FMR | siliconlab |
![]() |
104208 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4431B1FMR | siliconlab |
![]() |
121576 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4431B1FMR
![]() |
SILICONLAB |
![]() |
671035 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SI4431B1FMR | siliconlab |
![]() |
104208 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
![]() |
|
SI4431B1FMR | siliconlab |
![]() |
121576 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
![]() |
|
SI4431B1FMR
![]() |
SILICONLAB |
![]() |
671035 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |