Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI41004F Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI4100DY-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 100V, 6.8A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drai | ROHS COMPLIANT | 3,245 | 1+ : $1.72 10+ : $1.41 100+ : $1.09 500+ : $0.979 1000+ : $0.861 5000+ : $0.778 |
Купить сейчас
|
|
SI4100DY-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, N-CH, 100V, 6.8A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drai | ROHS COMPLIANT | 3,245 | 100+ : $1.09 500+ : $0.979 1000+ : $0.861 5000+ : $0.778 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4100DY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH100V6.8A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI4100DY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH100V6.8A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI4100
|
SI |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI4100D
|
SI |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI4100DY
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI4100DY-T1
|
VISHAY |
|
SO-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI4100DY-T1-G
|
SIX |
|
10000 | 2022+ | 24-08-13 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI4100DY
|
VISHAY |
|
SO-8 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI4100DY-T1-GE3
|
VISHAY |
|
NA | 140 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY |
|
NA | 140 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4100DY-T1-E3 | VISHAY/ |
|
47040 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY |
|
8-SO | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI4100
|
SI |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI4100BDDY-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI4100D
|
SI |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI4100DT-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI4100DY
|
VISHAY |
|
SO-8 | 63000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI4100DY
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI4100DY-T1
|
VISHAY |
|
SO-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SI4100DY-T1-E3 | VISHAY/ |
|
47040 | 2020+ | Instock | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
| SI4100DY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH100V6.8A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI4100DY-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI4100DY-T1-G
|
SIX |
|
10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
||
| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY |
|
8-SO | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI4100DY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH100V6.8A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI4100DY-T1-GE3
|
VISHAY |
|
NA | 140 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI4100DY-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOP8 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY |
|
NA | 140 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI4100DY-TI-E3
|
VISHAY |
|
SOP-8 | 10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|