Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI3556 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI3552DV-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N & P-CH, 30V, 2.5A, TSOP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 605 | 5+ : $0.926 50+ : $0.784 100+ : $0.643 500+ : $0.457 1500+ : $0.448 |
Купить сейчас
|
|
SI3552DV-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, N & P-CH, 30V, 2.5A, TSOP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id: | ROHS COMPLIANT | 3000+ : $0.439 9000+ : $0.389 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI3552DV
|
N/A |
|
Originalnew | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI3552DV-T1 | N/A |
|
SOT-23 | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT23-6 | 3024 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1-GE3
|
VISHAY |
|
6-TSOP | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI3552DV
|
N/A |
|
Originalnew | 33550 | 2016 | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI3552DV-T1 | N/A |
|
SOT-23 | 15000 | 2016 | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1-E3
|
|
30681 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI3552
|
VISHAY |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI3558
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI3552DV
|
BY |
|
TSOP-6 | 728869 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI3552DVT1
|
VISH |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI3552DV-T1
|
VISHAY |
|
TSOP-6 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI3552DV-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V6TSOP | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI3552DV-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V6-TSOP | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI3552
|
VISHAY |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI3552DV
|
N/A |
|
Originalnew | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SI3552DV
|
N/A |
|
Originalnew | 33550 | 2016 | Instock | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI3552DV
|
BY |
|
TSOP-6 | 728869 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI3552DV-T1 | N/A |
|
SOT-23 | 18000 | 2016+ | Instock | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI3552DV-T1 | N/A |
|
SOT-23 | 15000 | 2016 | Instock | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1
|
VISHAY |
|
TSOP-6 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT23-6 | 3024 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI3552DV-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V6TSOP | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI3552DV-T1-E3
|
|
30681 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
||
|
SI3552DV-T1-E3
|
VISHAY |
|
TSOP-6 | 728191 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI3552DV-T1-E3 TEL88834448 | VISHAY |
|
TSOP6 | 893153 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI3552DV-T1-E3TEL88834448 | VISHAY |
|
TSOP6 | 3400 | 2019+2020+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1-ER
|
VIS |
|
SOT-23 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1-GE3
|
VISHAY |
|
6-TSOP | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI3552DV-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN/P-CH30V6-TSOP | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI3552DV-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT-23-6L | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3552DV-T1-GE3ZXTN620MATA
|
VISHAYDIOD |
|
SOT23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3552DVT1
|
VISH |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI3552DVT1E3
|
VISH |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
SI3552DVZXTN5551ZTA
|
VISHAYDIOD |
|
SOT-163SO | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3554DV-T1
|
VISHAY |
|
SOT23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3554DV-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT163 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3554DV-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3558
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|