Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI3460DDVT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI3460DDV-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET,N CH,D-S,20V,7.9A,TSOP6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.9A; Dra | ROHS COMPLIANT | 4,436 | 5+ : $0.485 50+ : $0.416 100+ : $0.346 500+ : $0.22 1500+ : $0.216 |
Купить сейчас
|
|
SI3460DDV-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET,N CH,D-S,20V,7.9A,TSOP6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.9A; Dra | ROHS COMPLIANT | 4,436 | 100+ : $0.346 500+ : $0.22 1500+ : $0.216 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI3460DDV-T1-E3 | VISHAY/ |
|
TSOP-6 | 120000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
SI3460DDV-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
48000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI3460DDV-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH20V7.9A6-TSOP | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI3460DV | VIS |
|
12572 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI3460DVT1E3 | VISHAY |
|
53746 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SI3460DV-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT23-6 | 44268 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI3460DDV
|
VISHAY |
|
SOT-23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1
|
VISHAY |
|
SOT23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1G
|
SIX |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
|
SI3460DDV-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1-GE3
|
VISHAY |
|
TSOP-6 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI3460DDV
|
VISHAY |
|
SOT-23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1
|
VISHAY |
|
SOT23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI3460DDV-T1-E3 | VISHAY/ |
|
TSOP-6 | 120000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
48000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
| SI3460DDV-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH20V7.9A6-TSOP | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI3460DDV-T1-GE3
|
VISHAY |
|
TSOP-6 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1-GE3ZXTN2007GTA
|
VISHAYDIOD |
|
SOT23-6 | 19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI3460DDV-T1G
|
SIX |
|
19999 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI3460DDVT1GE3 | VISHAY |
|
1225 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI3460DDVT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 150350 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI3460DDVT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI3460DDVT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 59600 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI3460DDVT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 68610 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1