Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI2365EDST1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI2365EDS-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, P-CH, -20V, -5.9A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.9A; | ROHS COMPLIANT | 43,938 | 5+ : $0.212 |
Купить сейчас
|
|
SI2365EDS-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, P-CH, -20V, -5.9A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.9A; | ROHS COMPLIANT | 43,938 | 5+ : $0.212 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2365EDS-T1-GE3 | VISHAY |
|
TO-236 | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2365EDS-T1-E3 | VISHAY/ |
|
SOT23 | 24000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
SI2365EDS-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SOT-23 | 72720 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI2365EDS
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT-23-3 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-GE3ZXMN3G32DN8TA
|
VISHAYZETE |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-GE3##############
|
VISHAY |
|
SOT-23-3(TO-236) | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2365EDS-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V5.9ATO-236 | 15000 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI2365EDS
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI2365EDS-T1-E3 | VISHAY/ |
|
SOT23 | 24000 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SOT-23 | 72720 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI2365EDS-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V5.9ATO-236 | 15000 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
| SI2365EDS-T1-GE3 | VISHAY |
|
TO-236 | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT-23-3 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-GE3##############
|
VISHAY |
|
SOT-23-3(TO-236) | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI2365EDS-T1-GE3ZXMN3G32DN8TA
|
VISHAYZETE |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI2365EDST1GE3 | VISHAY |
|
1259 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI2365EDST1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 141250 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI2365EDST1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI2365EDST1GE3 | VISHAY |
|
6000 | 2018+ | 2024-07-01 | 株式**** |
Цитата
|
||
| SI2365EDST1GE3 | Vishay |
|
SOT23 | 400 | 2024-06-06 | An**** |
Цитата
|
||
| SI2365EDST1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 64510 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI2365EDST1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 88370 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1