Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI2323DST1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI2323DS-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, P, -20V, -4.7A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.7A; Dr | ROHS COMPLIANT | 100+ : $0.618 500+ : $0.601 1000+ : $0.584 5000+ : $0.566 |
Купить сейчас
|
|
|
SI2323DS-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, P, -20V, -4.7A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.7A; Dr | ROHS COMPLIANT | 1+ : $1.04 10+ : $0.893 100+ : $0.618 500+ : $0.601 1000+ : $0.584 5000+ : $0.566 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI2323DS-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23-3(TO-236) | 52500 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI2323DS-T1-GE3 | VISHAY |
|
NA | 1750 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI2323DS-T1-E3/D3AAA | VISHAY |
|
23 | 4060 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI2323DST1GE3
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2323DS | VISHAY/ |
|
13 | 700 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2323DS-T1
|
VISHAY |
|
SOT-23-3TO-236 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2323DS-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23-3(TO-236) | 63350 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2323DS-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SOT-23-3 | 32 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2323DS-T1 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V3.7ASOT23 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI2323DS-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V3.7ASOT23-3 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI2323DS-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH20V3.7ASOT23-3 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI2323DST1GE3
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI2323DST1GE3 | VISHAY |
|
951 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI2323DST1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 140070 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI2323DST1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI2323DST1GE3 | SENSIRI |
|
900 | 17+ | 2024-07-01 | 株式**** |
Цитата
|
||
| SI2323DST1GE3 | Vishay |
|
SOT23-3 | 2100 | 2024-06-06 | An**** |
Цитата
|
||
|
SI2323DST1GE3
|
VISHAY |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 2024-04-25 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SI2323DST1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 49800 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI2323DST1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 89470 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
| SI2323DST1GE3 |
|
1000 | 2020-07-03 | Na**** |
Цитата
|
||||
| SI2323DST1GE3 | VISHAY |
|
Electroniccomponent | 3153 | 2010 | 3DAYS | 2017-02-09 | FR**** |
Цитата
|
| SI2323DST1GE3 |
|
2530 | 2013-12-05 | TR**** |
Цитата
|
||||
| SI2323DST1GE3. | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 139870 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI2323DST1GE3. | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 49780 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI2323DST1GE3. | TI |
|
Original Parts&RoHS | 89270 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1