Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI2319DDST1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI2319DDS-T1-GE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, P-CH, -40V, -3.6A, 150DEG C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6 | ROHS COMPLIANT | 42,000 | 5+ : $0.584 50+ : $0.5 100+ : $0.416 500+ : $0.264 1500+ : $0.259 |
Купить сейчас
|
|
SI2319DDS-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, P-CH, -40V, -3.6A, 150DEG C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6 | ROHS COMPLIANT | 42,000 | 100+ : $0.416 500+ : $0.264 1500+ : $0.259 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2319DDS-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CHAN40V | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY/ |
|
SOT-23 | 170400 | 2020+ | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2319DS | VISHAY |
|
SOT-23 | 504000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
SI2319DS-T1
|
VISHAY |
|
SOT23 | 35000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI2319DST1E3 | PB-FREE |
|
ROSH&New | 42000 | 2016 | Instock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2319DS-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 8750 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI2319DS-TI-E3 | VISHAY |
|
SOT-23 | 21000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-14 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI2319DDS
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI2319DDS-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI2319DDS
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY/ |
|
SOT-23 | 170400 | 2020+ | Instock | 24-08-14 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI2319DDS-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CHAN40V | 59850 | 2020 | 24-08-14 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI2319DDS-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-14 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI2319DDST1GE3 | VISHAY |
|
957 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI2319DDST1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
1