Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI2306DST1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI2306BDS-T1-E3
|
VISHAY |  |
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.16A TO-236; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuou | ROHS COMPLIANT | 20,360 | 5+ : $0.688 50+ : $0.595 100+ : $0.502 500+ : $0.322 1500+ : $0.316 |
Купить сейчас
|
|
SI2306BDS-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Volta | ROHS COMPLIANT | 20,360 | 100+ : $0.502 500+ : $0.322 1500+ : $0.316 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI2306DS
|
BNSEMI |
|
SOT-23 | 2417600 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI2306DS-T1 | SILICONIX |
|
8688 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI2306DS-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 9772 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI2306DS-T1-GE3 | VISHAY/ |
|
SOT23 | 25600 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI2306DST1
|
SIL |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI2306DS
|
VISHAY |
|
SOT23 | 69601 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
| SI2306DS-T1 | SILICONIX |
|
23366 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI2306DS-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-23 | 630000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI2306-TP | MicroComme |
|
N-CHANNELMOSFETSOT-23PACKAGE | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI2306BDS-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V3.16ASOT23-3 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI2306BDS-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V3.16ASOT23-3 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI2306DST1
|
SIL |
|
10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI2306DST1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 140250 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI2306DST1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 50340 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI2306DST1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 89290 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1