![more](/img/icon/ic_prev.png)
![menu](/img/icon/ic_hamburger.png)
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI1902DL-T1-E3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, DUAL, N, 6-SC-70; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Dra | ROHS COMPLIANT | 5,000 | 5+ : $0.73 10+ : $0.601 100+ : $0.432 500+ : $0.338 1000+ : $0.232 5000+ : $0.216 |
Купить сейчас
![]() |
SI1902DL-T1-E3
![]() |
VISHAY | ![]() |
MOSFET, DUAL, N, 6-SC-70; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Dra | ROHS COMPLIANT | 5,000 | 100+ : $0.432 500+ : $0.338 1000+ : $0.232 5000+ : $0.216 |
Купить сейчас
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI1988DHT1E3 | VISHAY/ |
![]() |
21558 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI1988DH-T1-E3 | VishaySili |
![]() |
MOSFET2N-CH20V1.3ASC70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
![]() |
|
SI1988DH-T1-GE3 | VishaySili |
![]() |
MOSFET2N-CH20V1.3ASC-70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI1988DHT1E3 | VISHAY |
![]() |
25151 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI1988DHT1E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
10000 | 2022+ | 24-08-13 |
Цитата
![]() |
Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
SI1988DHT1E3 | VISHAY/ |
![]() |
21558 | 2020+ | Instock | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
![]() |
|
SI1988DHT1E3 | VISHAY |
![]() |
25151 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 | FEDERAL INDUSTRY CO. |
Цитата
![]() |
|
SI1988DHT1E3
![]() |
VISHAY |
![]() |
10000 | 2022+ | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
![]() |