Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI1926DLT1BE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI1926DL-T1-E3
|
VISHAY |  |
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.34A, SOT-363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current | ROHS COMPLIANT | 2,501 | 5+ : $0.454 50+ : $0.397 100+ : $0.339 500+ : $0.201 1500+ : $0.197 |
Купить сейчас
|
|
SI1926DL-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.34A, SOT-363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current | ROHS COMPLIANT | 2,501 | 100+ : $0.339 500+ : $0.201 1500+ : $0.197 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI19287ACNU | Newstock |
|
Original | 22500 | 2016+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
SI1922EDH-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SOT-363-6 | 191304 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI1926DL-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH60V0.37ASC-70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI1926DL-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH60V0.37ASOT363 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI19287ACNU | SILICONIX |
|
QFN | 924 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI1926DL
|
VISHAY |
|
SC70-6 | 778412 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1926DL-T1
|
ON |
|
778456 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
|
SI1926DL-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-363 | 119429 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1926DL-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SC70-6 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1926DL-T1-E3ZXCD1210JB16TA
|
VISHAYDIOD |
|
SOT-363 | 778436 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI1926DL
|
VISHAY |
|
SC70-6 | 778412 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1926DL-T1
|
ON |
|
778456 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
| SI1926DL-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH60V0.37ASC-70-6 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI1926DL-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-363 | 119429 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1926DL-T1-E3ZXCD1210JB16TA
|
VISHAYDIOD |
|
SOT-363 | 778436 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| SI1926DL-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH60V0.37ASOT363 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI1926DL-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SC70-6 | 10000 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|