Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI1922EDHT1GE3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI1922EDH-T1-BE3
|
VISHAY |  |
MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drai | ROHS COMPLIANT | 6,000 | 5+ : $0.572 10+ : $0.472 100+ : $0.339 500+ : $0.265 1000+ : $0.195 5000+ : $0.188 |
Купить сейчас
|
SI1922EDH-T1-GE3
|
VISHAY | |
MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1. | ROHS COMPLIANT | 19,960 | 5+ : $0.502 10+ : $0.437 100+ : $0.327 500+ : $0.257 1000+ : $0.18 5000+ : $0.171 |
Купить сейчас
|
Премиум B
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI1922EDH
|
VISHAY |
|
SOT-363 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1922EDH-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT363 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1922EDH-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SC70-6 | 121833 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1922EDH-TI-GE3
|
VISHAY |
|
SOT363 | 247470 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI19287ACNU | SILICONIX |
|
QFN | 924 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI1922EDH-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SOT-363-6 | 191304 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI1922EDH-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH20V1.3ASOT-363 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI1922EDH
|
VISHAY |
|
SOT-363 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1922EDH-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT363 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1922EDH-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SOT-363-6 | 191304 | 2020+ | Instock | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI1922EDH-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH20V1.3ASOT-363 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI1922EDH-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SC70-6 | 121833 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1922EDH-TI-GE3
|
VISHAY |
|
SOT363 | 247470 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI1922EDHT1GE3 | VISHAY |
|
1079 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI1922EDHT1GE3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 140170 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI1922EDHT1GE3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI1922EDHT1GE3 | Vishay |
|
SOT363 | 1110 | 2024-06-06 | An**** |
Цитата
|
||
|
SI1922EDHT1GE3
|
VISHAY |
|
200 | 1146+ | 2024-06-06 | TO**** |
Цитата
|
||
| SI1922EDHT1GE3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 65310 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI1922EDHT1GE3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77670 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1