Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI1305EDLT1E3 Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
SI1302DL-T1-E3
|
VISHAY |  |
Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:640mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On R | ROHS COMPLIANT | 18,756 | 5+ : $0.614 10+ : $0.51 100+ : $0.366 500+ : $0.285 1000+ : $0.196 5000+ : $0.19 |
Купить сейчас
|
|
SI1302DL-T1-E3
|
VISHAY | |
MOSFET, N, 3-SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:640mA; Drain Source V | ROHS COMPLIANT | 18,756 | 100+ : $0.366 500+ : $0.285 1000+ : $0.196 5000+ : $0.19 |
Купить сейчас
|
Премиум B
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI1305EDL-T1-E3
|
VISHAY/ |
|
SC70-3 | 48000 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1305EDL-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SC70-3 | 48000 | 2020+ | Instock | 24-08-13 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI1305EDL-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH8V0.86ASOT323-3 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI1305EDL-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH8V0.86ASOT323-3 | 59850 | 2020 | 24-08-13 |
Цитата
|
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI1305DL-T1
|
VISHAY |
|
SOT-323 | 99999 | 2020+ | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1305DL-T1-E3
|
VISHAY |
|
198051 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-13 |
Цитата
|
|
| SI1305DL-TI-E3 | VISHAY |
|
Original&New | 26000 | 2013+ | Instock! | 24-08-13 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
SI1305EDL
|
VISHAY |
|
SOT-323SC70 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1305EDL-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-323 | 121185 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1305EDL-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT-323 | 121430 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
|
SI1305EDL-T1-GE3ZUMT860B
|
VISHAYDIOD |
|
SOT-323 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
SI1305EDL
|
VISHAY |
|
SOT-323SC70 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1305EDL-T1-E3
|
VISHAY/ |
|
SC70-3 | 48000 | 2020+ | Instock | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI1305EDL-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH8V0.86ASOT323-3 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI1305EDL-T1-E3
|
VISHAY |
|
SOT-323 | 121185 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1305EDL-T1-GE3
|
VISHAY/ |
|
SC70-3 | 48000 | 2020+ | Instock | 24-08-13 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
| SI1305EDL-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETP-CH8V0.86ASOT323-3 | 59850 | 2020 | 24-08-13 | Hong Da Electronics Co.LTD |
Цитата
|
|
|
SI1305EDL-T1-GE3
|
VISHAY |
|
SOT-323 | 121430 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
SI1305EDL-T1-GE3ZUMT860B
|
VISHAYDIOD |
|
SOT-323 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-13 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| SI1305EDLT1E3 | VISHAY |
|
977 | 2024-08-08 | l-**** |
Цитата
|
|||
| SI1305EDLT1E3 | Distributor |
|
for more pls inquire us now | 139890 | 17+RoHS | New instock, best quality | 2024-08-05 | Mi**** |
Цитата
|
| SI1305EDLT1E3 |
|
1000 | 2024-07-12 | Tr**** |
Цитата
|
||||
| SI1305EDLT1E3 | NS |
|
Original Parts, Quality excellent | 66710 | 18+RoHS | Instock，Rush delivery | 2023-12-25 | E**** |
Цитата
|
| SI1305EDLT1E3 | TI |
|
Original Parts&RoHS | 77130 | 2019+ | NEWSTOCK,HOT SALE!!! | 2023-08-14 | Tr**** |
Цитата
|
1