Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
J112AN Результаты поиска
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
J112
|
ONSEMI |  |
TRANSISTOR, JFET, -35V, TO-92; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: | ROHS COMPLIANT | 10,426 | 5+ : $0.626 10+ : $0.481 100+ : $0.278 500+ : $0.22 1000+ : $0.161 5000+ : $0.158 |
Купить сейчас
|
|
J112"D74Z
|
ONSEMI | |
TRANSISTOR, JFET; Breakdown Voltage Vbr:-5V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Zero Gate | ROHS COMPLIANT | 10+ : $0.224 25+ : $0.205 100+ : $0.181 200+ : $0.163 600+ : $0.147 2000+ : $0.082 |
Купить сейчас
|
Премиум B
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
J112G
|
ONSemicond |
|
TO-92-3 | 850000 | 2016 | Instock | 24-07-03 |
Цитата
|
| J112126 | NXP |
|
NA | 56000 | 20+PB | Pb-Free | 24-07-03 |
Цитата
|
| J112D-12PL | TELEDYNE |
|
70 | 20+PB | Pb-Free | 24-07-03 |
Цитата
|
Nego IC Co.
Germany
Doris@negoic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
|
J112A
|
|
DIPSOP | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-07-03 |
Цитата
|
|
|
J112AR
|
ON |
|
TO-92 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-07-03 |
Цитата
|
|
J112AMO
|
PHILIPS |
|
TO-92 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-07-03 |
Цитата
|
|
J112A-18
|
VISHAY |
|
TO-92 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-07-03 |
Цитата
|
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| J112AN | Newstock |
|
Original | 22500 | 2016+ | Instock | 24-07-03 |
Цитата
|
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| J112 | ONSemicond |
|
JFETN-CH35V625MWTO92 | 59850 | 2020 | 24-07-03 |
Цитата
|
|
| J112G | ONSemicond |
|
JFETN-CH35V0.35WTO92 | 59850 | 2020 | 24-07-03 |
Цитата
|
|
| J112126 | NXPUSAInc. |
|
JFETN-CH40V400MWTO92-3 | 59850 | 2020 | 24-07-03 |
Цитата
|
|
| J112RL1 | ONSemicond |
|
JFETN-CH35V0.35WTO92 | 59850 | 2020 | 24-07-03 |
Цитата
|
|
| J112RL1G | ONSemicond |
|
JFETN-CH35V0.35WTO92 | 59850 | 2020 | 24-07-03 |
Цитата
|
Премиум C
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
|
J112A
|
|
DIPSOP | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-07-03 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
|
J112A-18
|
VISHAY |
|
TO-92 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-07-03 | Nego IC Co. |
Цитата
|
|
J112AMO
|
PHILIPS |
|
TO-92 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-07-03 | Nego IC Co. |
Цитата
|
| J112AN | Newstock |
|
Original | 22500 | 2016+ | Instock | 24-07-03 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
|
J112AR
|
ON |
|
TO-92 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-07-03 | Nego IC Co. |
Цитата
|
Базовый
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | Поставщик | RFQ |
| J112AN | Newstock |
|
Original | 22500 | 2016+ | Instock | 2022-10-29 | IC Agent Electronics Ins |
Цитата
|
1