Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI7660DY Результаты поискаB
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
SI7661DJ
|
Maxim Inte |
|
IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP | 45120 | 2022 | In.USA.Stock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7661CJ+
|
Maxim Inte |
|
IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP | 45120 | 2022 | In.USA.Stock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7661CSA+
|
Maxim Inte |
|
IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | 45120 | 2022 | In.USA.Stock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7661ESA+
|
Maxim Inte |
|
IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | 45120 | 2022 | In.USA.Stock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7661CSA+T
|
Maxim Inte |
|
IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | 45120 | 2022 | In.USA.Stock | 24-08-14 |
Цитата
|
|
SI7661ESA+T
|
Maxim Inte |
|
IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | 45120 | 2022 | In.USA.Stock | 24-08-14 |
Цитата
|
| SI7664DP-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V40APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI7664DP-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V40APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI7668ADP-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V40APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI7668ADP-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFETN-CH30V40APPAKSO-8 | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
1