Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
SI4912 Результаты поискаB
Премиум B
Hong Da Electronics Co.LTD
USA
brenda@hongda-ic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| SI4910DY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH40V7.6A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4913DY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2P-CH20V7.1A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4914DY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V5.5A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4916DY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V10A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4910DY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH40V7.6A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4913DY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2P-CH20V7.1A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4914BDY-T1-E3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V8.4A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4916DY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V10A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
|
| SI4914BDY-T1-GE3 | VishaySili |
|
MOSFET2N-CH30V8.4A8-SOIC | 59850 | 2020 | 24-08-14 |
Цитата
|
1