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部品番号 | MFG | データシート | 説明 | Rohs | Q'ty | 価格 | 今すぐ購入 |
J112
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ONSEMI | ![]() |
TRANSISTOR, JFET, -35V, TO-92; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: | ROHS COMPLIANT | 19,869 | 5+ : $0.626 10+ : $0.52 100+ : $0.355 500+ : $0.269 1000+ : $0.182 5000+ : $0.179 |
今すぐ購入
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J112"D74Z
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ONSEMI | ![]() |
TRANSISTOR, JFET; Breakdown Voltage Vbr:-5V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Zero Gate | ROHS COMPLIANT | 5+ : $0.172 10+ : $0.152 100+ : $0.121 500+ : $0.111 1000+ : $0.103 5000+ : $0.101 |
今すぐ購入
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部品番号 | MFG | データシート | 説明 | Q'ty | データコード | 位置 | REG日 | RFQ |
J112 | ONSemicond |
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JFETN-CH35V625MWTO92 | 59850 | 2020 | 24-08-25 |
問い合わせ
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J112G | ONSemicond |
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JFETN-CH35V0.35WTO92 | 59850 | 2020 | 24-08-25 |
問い合わせ
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J112126 | NXPUSAInc. |
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JFETN-CH40V400MWTO92-3 | 59850 | 2020 | 24-08-25 |
問い合わせ
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J112RL1 | ONSemicond |
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JFETN-CH35V0.35WTO92 | 59850 | 2020 | 24-08-25 |
問い合わせ
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J112RL1G | ONSemicond |
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JFETN-CH35V0.35WTO92 | 59850 | 2020 | 24-08-25 |
問い合わせ
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部品番号 | MFG | データシート | 説明 | Q'ty | データコード | 位置 | REG日 | RFQ |
J112G
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ONSemicond |
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TO-92-3 | 850000 | 2016 | Instock | 24-08-25 |
問い合わせ
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J112126 | NXP |
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NA | 56000 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-25 |
問い合わせ
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J112D-12PL | TELEDYNE |
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70 | 20+PB | Pb-Free | 24-08-25 |
問い合わせ
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部品番号 | MFG | データシート | 説明 | Q'ty | データコード | 位置 | REG日 | RFQ |
J112AN | Newstock |
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Original | 22500 | 2016+ | Instock | 24-08-25 |
問い合わせ
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部品番号 | MFG | データシート | 説明 | Q'ty | データコード | 位置 | REG日 | サプライヤー | RFQ |
J112A
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DIPSOP | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-25 | Nego IC Co. |
問い合わせ
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J112A-18
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VISHAY |
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TO-92 | 16666 | 2022+ | INSTOCK | 24-08-25 | Nego IC Co. |
問い合わせ
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J112AMO
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PHILIPS |
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TO-92 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-25 | Nego IC Co. |
問い合わせ
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J112AN | Newstock |
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Original | 22500 | 2016+ | Instock | 24-08-25 | IC Agent Electronics Ins |
問い合わせ
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J112AR
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ON |
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TO-92 | 16666 | 2022+ | IN STOCK | 24-08-25 | Nego IC Co. |
問い合わせ
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